Fujitsu ontwikkelt momenteel een nieuw type resistive RAM (ReRAM), een soort niet-vluchtig geheugen met een laag energieverbruik dat flashgeheugen zou kunnen vervangen. ReRAM berust op een principe waarbij een metaaloxide, in dit geval nikkeloxide, wordt toegepast waarvan de elektrische weerstand blijvend vergroot als er gedurende korte tijd een negatieve spanning op gezet wordt. Met een positieve spanning daalt de weerstand weer naar de oorspronkelijke waarde en is de cel dus "gewist". Een geheugencel bestaat uit een transistor een dergelijke weerstand. De weerstand bepaalt of het om een logische 1 of 0 gaat; loopt er een "grote" stroom door de transistor dan is de cel een 1, als de stroom klein is, gaat het om een 0. De grote voordelen van dit type geheugen zijn dat het veel verder geminiaturiseerd kan worden dan momenteel mogelijk is met conventioneel flashgeheugen en dat het goedkoop te produceren is.
Door de toevoeging van titanium aan nikkeloxide en beperking van de stroomsterkte door de transistor heeft Fujitsu het voor elkaar gekregen dat de benodigde stroom om een geheugencel te wissen is afgenomen tot 100 micro-ampère. Ook is bereikt dat bij wis-acties met hoge snelheid, de benodige tijd is gereduceerd tot 5 nanoseconde. Dit is volgens de uitvinders 10000 keer korter dan voorheen. Daarbij is de fluctuatie van de weerstand afgenomen tot 10% van de waarde zoals tot nu toe bij ReRAM gebruikelijk was, wat weer een gunstige invloed heeft op de betrouwbaarheid. Fujitsu ziet een zonnige toekomst voor het nieuwe ReRAM ter vervanging van flashgeheugen in toepassingen waar snelheid en een laag energieverbruik van groot belang zijn.
Bron: TechPowerup
