Intel en Micron hebben gisteren een nieuwe, snelle NAND flash technology bekend gemaakt die tot vijf maal hogere lees- en schrijfsnelheden bereikt dan tot nu toe gebruikelijk. In de praktijk komt dat neer op 200, repectievelijk 100 Mbyte per seconde. De twee bedrijven werken in een joint venture, genaamd IM Flash Technologies (IMFT), samen aan deze technologie. De prestatieverbetering is te danken aan de toepassing van de nieuwe ONFI 2.0 specificatie, waar wij al eerder over schreven en een nieuwe chip architectuur met hogere kloksnelheden.
Vooral in combinatie met de komende USB3.0 interface kan dit nieuwe flashgeheugen een nieuwe betekenis geven aan Vista's ReadyBoost maar ook Solid State Disks (SSD) en toepassingen in bijvoorbeeld videocamera's zullen enorm profiteren van de hogere snelheden. Micron verwacht in de tweede helft van 2008 met massaproductie te kunnen starten en zal in tegenstelling tot bovenstaand plaatje in een 100 ball BGA behuizing geproduceerd worden. Met een beloofde levensduur van 100.000 cycli gaan deze chips ook nog eens een behoorlijke tijd mee.
Bron: Micron
