Hynix heeft vandaag een 4 GB DDR SDRAM module geïntroduceerd voor Intels Moorestown platform waarmee kleine mobiele apparaten kunnen worden ontwikkeld voor internetapplicaties. Deze module heeft een twee keer zo hoge datadichtheid als huidige geheugenmodules en heeft een maximale snelheid van 400 Mbit/s, waarmee 1,6 GB aan data per seconde kan worden verwerkt met een 32-bit I/O geheugeninterface. De chips kunnen worden verpakt in een zogenaamde 'Multi Chip Package' of in een 'Package on Package'.
De chip zou hierdoor een goede optie zijn voor kleine mobiele apparaten zoals netbooks en smartphones. Hynix verwacht nog in dit kwartaal te kunnen starten met de massaproductie van de mobiele 4 GB DDR SDRAM modules. Vermoedelijk zullen de eerste producten met deze chip nog in dit jaar worden gelanceerd.
De compacte Hynix 4 GB DDR SDRAM module.
Bronnen: Techconnect, Expreview
