Enkele maanden later dan oorspronkelijk gepland is Samsung begonnen met het en masse produceren van haar phase-change geheugenchips, ook wel afgekort tot PRAM. De chips zullen gaan concurreren met het huidige NOR- en NAND-flashgeheugen en de fabrikant verwacht dat het zal uitgroeien tot een van haar voornaamste geheugenproducten in de toekomst. PRAM is net als flashgeheugen niet-vluchtig, wat betekent dat opgeslagen data ook behouden blijft zonder elektrische spanning. Binaire data wordt gerepresenteerd door met behulp van warmte het chemische mengsel chalcogenide vanuit amorfe toestand te laten kristalliseren.
Samsung claimt dat PRAM potentieel tot dertig maal hogere snelheden haalt dan conventioneel flashgeheugen, mede dankzij de relatief eenvoudige architectuur en logica. Ook de levensduur, gemeten in het aantal schrijfcycli, ten opzichte van flashgeheugen op basis van NOR- en NAND-gates zou tenminste tienmaal zo hoog liggen. De eerste PRAM chips die van de band zullen rollen worden vervaardigd volgens hetzelfde 60 nm productieprocédé als waarop ook NOR chips momenteel geproduceerd worden en hebben een capaciteit van 512 Mbit (64 MByte). Deze modules zullen ongeveer tienmaal sneller zijn van NOR-flashgeheugen.
Samsung zal haar nieuwe geheugen in eerste instantie voornamelijk toe gaan passen in mobiele apparatuur, waaronder smartphones en draagbare multimedia-apparaten. Het toepassen van PRAM in deze apparaten zou volgens het bedrijf niet alleen ten goede komen van de prestaties, maar bovendien de batterijduur met 20% kunnen verlengen.
Samsung's eerste op 60 nm gebakken 512 Mbit PRAM geheugenchips
Bronnen: Samsung, TechConnect
