Eind vorig jaar kondigde Samsung al aan om een groter marktaandeel te willen bereiken in de productie van NAND flashgeheugenchips en DRAM chips. Het bedrijf maakt vandaag bekend dat de eerste 20 nm MLC NAND flashgeheugenchips met een capaciteit van 32 Gbit succesvol zijn geproduceerd. Ten opzichte van de 30 nm NAND flashgeheugenchips zouden de nieuwe chips goedkoper te maken zijn en een hogere capaciteit bieden waardoor de productiekosten relatief met 50% zijn verlaagd.
De flashgeheugenchips gaan vooral toegepast worden in SD geheugenkaarten met capaciteiten van 4 GB tot en met 64 GB. Naast de kostenvermindering en capaciteitsverhoging zouden de nieuwe chips ook betrouwbaarder zijn en tot 30% sneller dan de oudere chips. Met de chips zouden class 10 geheugenkaarten met lees- en schrijfsnelheden van respectievelijk 20 MByte/s en 10 MByte/s goedkoper gaan worden.
De eerste SD geheugenkaarten die gebruik gaan maken van de 20 nm MLC NAND flashgeheugenchips worden later dit jaar verwacht.
Samsung fabriceert 20 nm NAND flashgeheugen.
Bronnen: Samsung, Techconnect
