Elpida heeft deze week laten weten een nieuw type DDR3-SDRAM geheugenchips ontwikkeld te hebben, zo bericht DigiTimes. De chips worden gemaakt met een 30 nm productieprocédé en hebben elk een capaciteit van 2 Gb. Ze hebben een kloksnelheid van 1866 MHz bij 1,5 V of van 1600 MHz bij 1,35 V spanning. Volgens de geheugenfabrikant zijn door het verbeterde productieproces de yields per wafer met 45% gestegen ten opzichte van de vorige 40 nm generatie. Dit jaar nog verwacht Elpida de massaproductie van de chips te beginnen.
De eerste samples van de DDR3-chips worden in december naar partners gestuurd zodat die er producten mee kunnen ontwikkelen. Het geheugen zal worden toegepast in DDR3-modules voor pc's en andere consumentenelektronica. Ook is Elpida voornemens de 30 nm chips te gebruiken voor geheugen voor mobiele apparaten zoals smartphones. Hiervoor past de fabrikant een technologie toe die bekend staat als 'through silicon via' (TSV), waarbij elektrische verbindingen worden gemaakt die volledig door het silicium op de wafer gaan. Eerder dit jaar kwam Samsung al met 30 nm geheugenchips.
