Samsung is deze week begonnen met de productie van een nieuw type MLC geheugenchip, die dankzij ondersteuning voor Toggle DDR 2.0 aanzienlijk hogere doorvoersnelheden moet kunnen halen dan regulier MLC type flashgeheugen. De nieuwe chips worden gebakken op het 25nm procedé en hebben een capaciteit van 64 Gbit. Samsung heeft deze Toggle DDR 2.0 MLC flashchips speciaal ontwikkeld voor high-end smartphones en tablets, maar natuurlijk ook voor SSD's.
Dankzij de Toggle DDR 2.0 interface kunnen deze nieuwe MLC geheugenchips data aanleveren met snelheden tot 400 Mbps, een vertienvoudiging van de 40 Mbps die de oudere Single Data Rate (SDR) geheugenchips halen. Ten opzichte van de eerste generatie Toggle DDR 1.0 MLC geheugenchips van 32 Gbit die Samsung in 2009 op de markt bracht is de prestatiewinst een factor drie (133 versus 400 Mbps).
Volgens Samsung maken deze nieuwe Toggle DDR 2.0 MLC flashgeheugens de weg vrij naar vierde generatie SSD's en smartphones, die weer aanzienlijk sneller zullen worden dan de huidige generatie. De invoering van nieuwe interfaces zoals USB 3.0 en SATA 6 Gbps zou volgens Samsung ook helpen om het maximale uit de snelle geheugenchips te halen.
Volgens IHS iSuppli zal de markt van flashgeheugen stabiel blijven groeien van 11 miljard GB's aan geheugenchips in 2010 naar 94 miljard GB's in 2015. Ook verwacht men dat het aandeel van geheugenchips van 64 Gbit en groter zo'n 70% van de markt zal domineren aan het einde van 2012. In 2010 waren de geheugenchips van 64 Gbit nog veantwoordelijk voor slechts 3% van het totale flashgeheugen.
Samsung begint productie van snellere Toggle DDR 2.0 MLC geheugenchips
Bron: Techpowerup
