Eerder dit jaar waren de plannen al bekend voor een overstap naar het 20 nm procedé voor de nieuwste generatie NAND flashgeheugenchips. Door nog kleinere transistors kan enerzijds de capaciteit omhoog, terwijl het anderzijds mogelijk wordt om dezelfde capaciteit met minder chips te bewerkstelligen (lees: lagere kosten). Intel en Micron zijn al druk bezig met de ontwikkeling van next-gen 20 nm MLC flashgeheugen volgens de ONFI 3 interface en hebben recentelijk de laatste hand gelegd aan een circuit met een capaciteit van 128 Gb.
Omdat één fysieke geheugenchip uit acht van dergelijke circuits bestaat hebben we het dus over geheugenchips met een capaciteit van 128 GB. De capaciteit waar we nu nog vier of acht geheugenchips voor gebruiken zal met die nieuwe generatie flashgeheugen slechts uit één chip kunnen bestaan. Wanneer een 2,5'' SSD wordt volgebouwd met acht of zestien van deze nieuwe generatie NAND geheugenchips kunnen capaciteiten van respectievelijk 1 en 2 TB worden gerealiseerd. Het nieuwe 20nm procedé biedt dus hogere capaciteiten tegen aantrekkelijke prijzen, omdat er ten opzichte van het 25 nm flashgeheugen minder chips nodig zijn om een bepaalde opslagcapaciteit te bereiken.
Minder geheugenchips betekent vaak ook lagere snelheden, omdat de moderne SSD-controllers het liefst meerdere geheugenkanalen tegelijkertijd aanspreken om bestanden uit te lezen en weg te schrijven. In de praktijk zien we dat ook terug bij de 64 GB varianten van moderne SSD's, die doorgaans een stuk langzamer zijn dan hun grotere 128 en 256 GB soortgenoten die meer geheugenchips aan boord hebben. Gelukkig is er ook op dit front verbetering, want de nieuwe 128 Gb circuits op 20nm werken volgens de ONFI 3 interface. Deze biedt een bandbreedte van 400 MB/s per chip, een verdubbeling ten opzichte van de huidige 25nm flashchips volgens de ONFI 2.x standaard.
Er zijn op dit moment nog geen SSD-controllers die overweg kunnen met ONFI 3, maar zodra die er zijn kunnen fabrikanten SSD's bouwen die met minder chips toch minstens zo snel zijn (of met hetzelfde aantal chips nog sneller zijn, maar daarvoor is de SATA 6 Gbps interface een beperkende factor geworden). De hogere bandbreedte per chip is ook zeer gunstig voor tablets, ultrabooks en smartphones, apparaten waar doorgaans maar een klein aantal geheugenchips in gestopt kan worden. In die gevallen zorgt de extra bandbreedte van ONFI 3 voor meetbaar betere prestaties.
Helaas zijn de nieuwe 128 Gb circuits op het 20 nm HKMG productieproces nog een beetje toekomstmuziek, want naar verwachting zullen de eerste producten voor consumenten op basis van deze technologie pas in 2013 op de markt komen. De eerste generatie 20 nm NAND geheugenchips komen al wel wat eerder, namelijk halverwege 2012. Dit zijn circuits met een capaciteit van 64 Gb volgens de huidige ONFI 2.x specificatie. De levensduur van het 20nm flashgeheugen zou vergelijkbaar zijn met dat van de 25nm chips, namelijk 3.000 tot 5.000 schrijfcycli.
Bron: Nordic Hardware
