Fujitsu en SuVolta hebben aangekondigd tezamen een geheugenmodule op een zeer lage spanning van 0,425 volt te kunnen laten werken. Het SRAM-geheugen werd via machinerie van Fujitsu voorzien van de PowerShrink technologie van SuVolta om het ultra-low voltage te bewerkstelligen. De bedrijven claimen hiermee een belangrijke stap te hebben gezet voor het het 'zuinige' klimaat van de toekomst.
Fujitsu en SuVolta stellen dat de minimale spanning voor geheugenchips sind het 130 nm procedé min of meer rond de 1 volt is blijven hangen. Omdat spanning echter een belangrijke factor is in het totaalplaatje van energiegebruik, is het verlagen ervan een niet te verwaarlozen stap. Beide bedrijven kregen het voor elkaar om een 576 kB grote SRAM-chip op basis van zogeheten Deeply Depleted Channel (DDC) transistors op ongeveer 0,4 volt te laten werken door kennis en materieel uit te wisselen. Met name voor System-on-a-chip (SoC) designs zou dit een interessante doorbraak kunnen zijn.
De afdeling van Fujitsu die zich bezighoudt met het fabriceren van halfgeleiders is dan ook van plan om de bevindingen op grote schaal in te zetten voor consumentenproducten die kunnen profiteren van geheugenchips met een lage spanning. Een voor de hand liggende en populaire toepassing is die in smartphones, maar zoals gezegd zijn allerhande SoC-ontwerpen potentieel geschikt.
Een Deeply Depleted Channel transistor van SuVolta, waarvoor 0,425 volt voldoende is voor correcte werking
Bron: SuVolta
