Samsung heeft deze week een nieuwe geheugensoort aangekondigd, UTRAM genaamd. Dit geheugen combineert hoge capaciteit met laag stroomverbuik en is dan ook voornamelijk voorzien voor de mobiele telefonie. Zo werkt de eerst uitgebrachte 128 Megabit module op een lage spanning van 1,8V, terwijl het toch dezelfde bandbreedte biedt als SRAM. Het UTRAM geheugen draait op een snelheid van 80MHz, 50% meer dan de 54MHz kloksnelheid van SRAM-geheugen. De hoge dichtheid, de snelheid en het lage verbruik maken de chip uiterst geschikt voor de digitale fotografie en het mobiel gamen.
UTRAM geheugen zal in een eerste stadium verpakt worden in multi-chip packages (MCP's). Deze packages bevatten naast het UTRAM ook onder andere NAND Flash en SRAM. Voorlopig is Samsung de enige halgeleiderfabrikant die al deze geheugentypes in een MCP aanbiedt. Samsung verwacht dat de UTRAM-modules in april op grote schaal verkrijgbaar zijn.
Vertaald en bewerkt door Arthurke.
Bron: Samsung
