Samsung heeft een nieuwe generatie flashchips geïntroduceerd die door het leven gaat als V-NAND, of Vertical NAND voluit. Dat verklapt ook meteen waar het bij dit geheugen om draait: meerdere lagen op elkaar, zodat er een grotere capaciteit per chip behaald kan worden. Het geheel wordt overigens gefabriceerd op een 10 nm-productieprocédé en kan middels maximaal 24 lagen één terabit aan data opslaan.
Het stapelen van lagen is echter niet het enige wat nieuw is bij V-NAND, want Samsung heeft ook gesleuteld aan de transistors. Normaal gesproken slaan floating gate transistors data op door een elektrische lading vast te houden, waarbij er uiteraard meer lading nodig is om MLC- en TLC-cellen aan te sturen. Bij V-NAND gebruikt de Koreaanse fabrikant echter een methode die het zelf Charge Trap Flash (CTF) noemt. Hierbij wordt een elektrische lading eerst naar een wachtkamer gestuurd in een niet-geleidende laag van siliciumnitraat (SiN), om zo te voorkomen dat cellen met elkaar storen (waarvoor normaal gesproken een floating gate gebruikt wordt).
Het probleem bij een dergelijke floating gate transistor is dat er relatief veel vermogen nodig is om een cel te wissen, wat negatieve gevolgen heeft voor de levensduur en betrouwbaarheid. In principe blijven er iedere keer dat een NAND-transistor herschreven wordt een paar elektronen vasthangen. Na een bepaald aantal keer wordt de weerstand van de transistor dermate hoog dat deze niet meer betrouwbaar gelezen kan worden. Dit probleem wordt groter naarmate het productieprocédé verkleint, wat bij SSD's tot grote discussies over de levenduur heeft geleid.
Met de nieuwe Charge Trap Flash-technologie van Samsung moet het hele elektronenprobleem grotendeels opgelost zijn: de levensduur van V-NAND moet volgens de fabrikant ten minste twee keer zo lang zijn, al zou dat zelfs op kunnen lopen tot tien keer. Een leuke bijkomstigheid is dat de schrijfsnelheid vergeleken met traditioneel NAND-geheugen verdubbeld is.
Het is nog niet bekend wanneer de eerste producten met V-NAND beschikbaar gaan komen.
Bron: Arstechnica
