Op haar blog heeft Samsung te kennen gegeven dat men de eerste 8 gigabit (Gb) Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) mobile DRAM heeft geproduceerd. Dit geheugen is gericht op het gebruik in smartphones, tablets en andere mobiele apparaten.
De capaciteit per die is 1 gigabyte (GB) en bestaat uit een 8 Gb-chip. Door vier van deze chips te combineren kan men een 4 GB LPDDR4-module maken. Voor de productie is gebruik gemaakt van een 20-nanometer (nm) class procedé, wat volgens de kleine lettertjes zoveel wil zeggen als ergens tussen de 20 and 30 nm.
Als we de fabrikant mogen geloven zal de Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O LPDDR4-interface 50% meer prestaties moeten bieden ten opzichte van (LP)DDR3 terwijl het stroomgebruik 40% lager moet liggen dankzij een voltage van 1,1V. Samsung noemt een datadoorvoersnelheid van 3200 Mbit/s.
Het LPDDR4-geheugen is gemaakt met het oog op mobiele apparaten met schermen die gebruik maken van hoge resoluties zoals bijvoorbeeld UHD. Naast smartphones en tablets zouden we ook kunnen denken aan compacte laptops, network systems of draagbare spelcomputers zoals bijvoorbeeld de PS Vita of Nvidia Shield. Samsung kennende zal het geheugen in ieder geval z’n plek gaan vinden in de volgende generatie Galaxy apparaten, mogelijk al in de S5.
Bron: Samsung Tomorrow
