Samsung heeft bekendgemaakt dat het begonnen is met de massaproductie van DDR3-werkgeheugen op 20 nanometer. Alhoewel NAND-geheugenchips al een langere tijd gemaakt werden volgens dat productieprocedé, maakte Samsung zijn DRAM nog altijd op 30 nm.
De voornaamste reden daarvoor is dat DDR3 een stuk complexer is dan de relatief simpele NAND-geheugencellen en daarom lastiger te maken is met kleine transistors. Bovendien zijn de marges op dergelijk werkgeheugen erg laag en blijft er dus weinig geld over om te investeren in nieuwe productieprocessen.
Door de overstap van 30 naar 20 nanometer claimt Samsung dat het energiegebruik van het geheugen met 25% is verlaagd. Door ook DDR3 te fabriceren op 20 nm moet de Zuid-Koreaanse fabrikant overigens wel de productiecapaciteit delen met die van DDR4. De zet van Samsung om de overstap voor DDR3-productie te maken, geeft dan ook aan dat het bedrijf niet verwacht dat DDR4 heel snel aan zal slaan.
Een DDR3 SODIMM-geheugenmodule van Samsung gebaseerd op 20nm DRAM-chips
Bron: ExtremeTech
