SK Hynix heeft trots laten weten dat het een geheugenmodule heeft gefabriceerd met een capaciteit van 128 GB. Het geheel is gebaseerd op 8 Gbit DDR4-chips uit eigen fabrieken die opgebouwd zijn met transistors van 20 nm.
Om deze enorme datadichtheid te bereiken heeft Hynix gebruikgemaakt van Through Silicon Via, of kortweg TSV. Geheugenchips kunnen daarmee op elkaar gestapeld worden, zodat de 128 DDR4-chips ook daadwerkelijk op het PCB passen. De module werkt op 2133 Mbit/s, kan via zijn 64-bit interface 17 GB aan data per seconde uitwisselen met het moederbord en heeft slechts 1,2 volt nodig voor een stabiele werking.
Aangezien er momenteel weinig vraag is naar deze DDR4-geheugenmodules, zal Hynix pas in de eerste helft van volgend jaar de massaproductie opstarten. De modules zullen dan beschikbaar komen in varianten met 64 GB en 128 GB, al is er over de prijs nog niets gezegd.
Bron: Hynix
