Samsung: TLC komt ook naar 3D V-NAND

Tijdens haar Global SSD Summit 2014, waar vandaag de 850 Pro SSD's officieel geïntroduceerd zijn, heeft Samsung naar aanleiding van een vraag van Hardware.Info aangegeven te werken aan TLC-technologie voor het nieuwe 3D V-NAND flashgeheugen. Senior vice president Unsoo Kim wilde de vraag of we op termijn ook 3D V-NAND met 3-bit opslag per cel mogen verwachten nog niet met een simpele ja of nee beantwoorden, maar vertelde wel dat we "spoedig" een aankondiging van Samsung op dit vlak mogen verwachten. Wellicht doelt Kim hiermee op het Flash Memory Summit 2014, dat begin augustus plaats vindt in Santa Clara. Vorig jaar kondigde Samsung op deze conferentie de eerste generatie 3D V-NAND aan.

Uit onze berekeningen blijkt dat Samsung met de huidige generatie 3D V-NAND met 32 lagen zo'n 50% meer capaciteit op dezelfde die-size kan bieden dan Microns 16nm MLC NAND. Door over te stappen naar TLC, kan er nog een keer 50% capaciteitswinst geboekt worden. 

Samsung 850 Pro 1TB
De Samsung 850 Pro SSD's maken gebruik van Samsungs tweede generatie 3D V-NAND.

« Vorig bericht Volgend bericht »
0