Samsung heeft de eerste 64 GB geheugenmodule in productie genomen bedoeld voor servers. De ECC-geregistreerde RDIMM-module maakt gebruik van een zogenaamde 3D-package, waarbij meerdere geheugenchips op elkaar worden gestapeld. De normale manier is om elke chip afzonderlijk te verbinden met het PCB, maar Samsung gebruikt kleine gaten in elke chip zodat de chips door elkaar heen verbonden kunnen worden. Hierdoor zouden de modules met de zogenaamde 'through silicon via' (TSV) techniek zowel zuiniger als sneller zijn.
De 64 GB DDR4-geheugenmodule maakt gebruik van 36 DRAM-modules die elk vier 4 Gbit chips hebben. De modules zijn gemaakt met een 20 nm productieproces. Naast de 64 GB module zou Samsung dezelfde techniek kunnen gebruiken om 32 Gbit of 64 Gbit per geheugenchip kwijt te kunnen. Ook zou het mogelijk zijn volgens Samsung om meer dan vier DRAM-modules op elkaar te stapelen waardoor nog meer dan 64 GB mogelijk wordt.
De 64 GB modules zijn vooralsnog alleen voor servers bestemd, aangezien er voor consumenten nog weinig applicaties bestaan die dergelijke hoeveelheden geheugen vereisen.
Door de chips door elkaar heen te verbinden zijn de nieuwe chips van Samsung een stuk efficiënter.
Bron: Xbitlabs
