Samsung maakt 128 GB DDR4-modules mogelijk op 20 nm

Samsung heeft onlangs een nieuwe serie DDR4-chips geïntroduceerd die veel hogere capaciteiten mogelijk maakt. Vorige maand maakte het Zuid-Koreaanse bedrijf bekend dat het was begonnen met de productie van 64 GB modules, maar die hoeveelheid kan per latje nog eens verdubbeld gaan worden.

Samsung beweert namelijk dat het klaar is om DDR4-geheugenmodules te maken met 128 GB aan boord. Dat betekent overigens niet dat we deze producten al spoedig op de markt hoeven te verwachten, tenzij klanten (voornamelijk uit de servermarkt) daar interesse in hebben.

De techniek is gebaseerd op 20 nm chips van 8 Gbit per stuk, die middels 'through-silicon vias' (TSV) op elkaar gestapeld kunnen worden. Vergeleken met traditionele technieken zoals wire bonding kunnen zo veel meer lagen samengevoegd worden, waardoor dus capaciteiten van 128 GB tot de mogelijkheden behoren. De klokfrequentie van de modules ligt vooralsnog op 2400 MHz, wat voor servers relatief snel is. Volgens de fabrikant hebben de chips 1,2 volt nodig en is het totale energiegebruik ongeveer de helft van wat we bij 40 nm DDR3-geheugen zagen.


Samsung is klaar om naast bovenstaande 32 GB modules ook exemplaren te maken van 128 GB

Bron: ExtremeTech

« Vorig bericht Volgend bericht »
0