Intel en Micron kondigen vandaag de beschikbaarheid van hun 3D NAND-flashgeheugen aan. Bij 3D NAND worden geheugencellen niet alleen naast elkaar gelegd, maar ook gestapeld. Door in de hoogte te werken kan er op dezelfde oppervlakte veel meer opslagcapaciteit worden gecreëerd.
Het nieuwe 3D NAND bestaat uit 32 lagen, waardoor de capaciteit per die oploopt tot 256 Gigabit (32 GB) bij gebruik van de MLC-technologie en 384 Gigabit (48 GB) als TLC wordt toegepast. In een normale 2,5"-behuizing past zo meer dan 10 TB aan flashgeheugen. Ondanks de nieuwe productietechnologie, moet door de oppervlaktewinst kostenefficiënter zijn dan normaal 'vlak' NAND-geheugen.
Ook voor het stroomverbruik heeft de nieuwe techniek positieve gevolgen. Binnen één package kunnen de die's onafhankelijk van elkaar uit en aan worden gezet, zodat het stroomverbruik bij lage belasting en in stand-by fors lager uitvalt.
Een aantal partners van Micron en Intel hebben al samples van de 256 Gb MLC-chip ontvangen, terwijl de 384 Gb TLC-chip later deze lente zal volgen. De eerste productieruns zijn al gestart en de massaproductie zal in het vierde kwartaal op volledige capaciteit draaien. Zowel Micron (met consumentenmerk Crucial) als Intel zelf werken op dit moment al aan eigen producten op basis van hun nieuwe 3D NAND, die volgend jaar op de markt moeten komen.
Samsungs tweede generatie 3D V-NAND, dat we onder andere terugvinden op de 850 Pro, beslaat 86 Gigabit per die. Intel biedt dus drie keer zoveel opslagcapaciteit, maar wat dat voor de daadwerkelijke kostprijs betekent blijft afwachten. In 2016 starten ook SanDisk en Toshiba met de massaproductie van hun gezamenlijk ontwikkelde 3D NAND, dat uit 48 lagen bestaat.
Het die van een 3D NAND-chip van Intel en Micron.
3D NAND biedt veel potentieel voor M.2-SSD's, waar zo veel meer opslag op past.
Een close-up van een wafer met 3D NAND.
