Samsung is gestart met de testproductie van FB-DIMM (fully buffered dual-inline) geheugenmodules. De modules zijn gebaseerd op de DDR2 technologie en zodanig ontworpen dat door het verhogen van de dichtheid en bandbreedte bij bestaande geregistreerde DIMM’s, een nog snellere dataverwerking moet worden verkregen.
In tegenstelling tot DDR2 modules beschikken FB-DIMM’s over een Advanced Memory Buffer (AMB) chip, die gebruik van zowel snellere als langzamere interfaces mogelijk moet maken. De buffer kan snelheden genereren van 3,2 tot 4,8 Gbit per seconde. De maximale snelheid is het dubbele van geregistreerde DDR2-400 DIMM’s, wanneer gebruik wordt gemaakt van DDR2-800 componenten, claimt Samsung.
In eerste instantie gaat Samsung over tot productie van 512 MB en 1 GB testmodules. Naast Samsung schijnen ook andere geheugenproducenten doende te zijn met de productie van FB-DIMM testmodules, waaronder Infineon.
Bron
Bron: Tom's Hardware
