Een aantal wetenschappers van de universiteit van Illinois is erin geslaagd om transistoren te laten werken op een snelheid van meer dan 600 GHz. De snelheid werd gehaald door de structuur van de transistor op te bouwen uit de materialen indiumfosfide en indiumgalliumarsenide. Deze legering wordt voorzien van een speciale collector, basis en zender om de dichtheid en dus de potentiële snelheid van het verzonden signaal te vergroten.
Met de nieuwe Pseudomorphic Heterojuction Bipolar Transistor (PHBT), zoals de transistor benoemd is, werd een snelheid gehaald van 604 GHz in een labarotoriumomgeving, en is daarmee de snelste transistor ooit.
Pseudomorphische uitsortering van materiaal structuren stelt de wetenschappers in staat om de gaten tussen materialen te verkleinen, wat resulteert in snellere verzending van elektronen in de transistor. Compositaire uitsortering zorgt er voor dat de dichtheid van de signalen wordt vergroot, waardoor er minder lekken onstaan en de signalen sneller opeenvolgend kunnen worden verstuurd.
Met de nieuwe structuur zou het mogelijk moeten zijn om de Terahertz bariërre te doorbreken, iets wat met eerder gebruikte materialen niet mogelijk was. Conventionele materialen zouden door de hitteontwikkeling veroorzaakt door de snelheid waarmee de elektronen dan moeten worden verstuurd simpelweg smelten. De wetenschappers welke hebben gewerkt aan de PHBT zijn ervan overtuigd dat de Terahertz bariërre spoedig zal worden doorbroken met deze structuur.
Met snellere transistoren is het mogelijk snellere processoren en dus computers te maken, maar ook communicatieapparatuur, draadloze technologie en uiteraard militaire technologie zullen profiteren van snellere transistoren. [nitraM]
Bron
Bron: Tech-blog
