Samsung heeft een 512 MBitprototype gelanceerd van een phase-change geheugenmodule, PRAM. Het geheugen zou volgens Samsung DRAM modules over tien jaar volledig vervangen hebben. Daarnaast blijkt het ook een vervanger te zijn van flashgeheugen: de chips bieden namelijk niet-vluchtige opslag. Samsung gaat in overtreffende trap met deze modules: het noemt de PRAM-modules dan ook 'Perfect' RAM.
PRAM moet om te beginnen beter schaalbaar worden dan de huidige geheugenmodules, gebaseerd op NAND- of NOR-poorten. Uiteraard zullen de chips veel hogere snelheden aankunnen. PRAM is effectief 30 keer sneller dan het huidige flashgeheugen. Ook biedt het een veel langere levensduur in vergelijking met de beperkte levensduur van flash-geheugen.
Samsung voorziet PRAM als geduchte concurrent voor flash vanaf 2008. De afmetingen van de chips zouden met een oppervlakte van 0,0467 µm² gehalveerd zijn ten opzichte van de flashchips. Niet onbelangrijk is de prijs: door een vermindering van het aantal stappen in het productieproces zal ook deze afnemen. De productiefaciliteiten hoeven daarnaast niet volledig hernieuwd te worden, wat de overstap voor fabrikanten aantrekkelijker maakt. In de informatie die Samsung biedt wordt duidelijk dat er gebruik wordt gemaakt van dezelfde diodes in 3d-structuur als diegene die we tegenkomen in DRAM-modules.
De Koreaanse elektronicagigant ziet voor PRAM vooral een grote markt in de gsm-industrie en andere mobiele takken. Met name de snelheid zal een belangrijke factor worden in de vergelijking met andere opslagmethoden. Samsung heeft nog geen informatie gegeven betreffende het energieverbruik en warmteafgifte.
Bron: Golem
