Micron heeft de release van haar next-gen DRAM (RLDRAM) II geheugen aangekondigd. Deze RLDRAM II netwerkproducten kennen een datadichtheid die van 288 naar 576 Mbs is gebracht, een kloksnelheid die van 400 verhoogd is naar 533 MHz en een latency die van 20 naar 15 nanosecondes is teruggebracht.
De Micron RLDRAM II modules worden begin volgend jaar op de markt verwacht. Meer informatie over de producten is hier te vinden.
Bron: Micron
