IBM en AMD hebben details van hun 45nm proces onthuld. Het proces, dat ze gezamenlijk aan het ontwikkelen zijn, zal gebruik maken van immersion lithography , ultra-low-k interconnect dielectrics en multiple enhanced transistor strain technologie.
Bij immersion lithography wordt de lucht die tussen de wafer en de lens van de lithografiemachine zit vervangen met zuiver water. Hierdoor wordt de golflengte verkort, wat de optische resolutie van het proces ten goede komt.Zo kunnen details beter worden aangebracht en is er meer marge voor fouten tijdens het belichten van de wafer, waardoor er ook minder verlies is tijdens de productie.
Door gebruik te maken van ultra-lage k-waarde isolatoren voor de koperen geleiders is er minder capaciteit tussen de verbinding en de rest van de chip. Hierdoor is er minder energie nodig en zijn hogere frequenties mogelijk.
Daarnaast zullen AMD en IBM gebruik blijven maken van strained silicium voor het fabriceren van transistors, iets dat volgens sommigen erg moeilijk zou zijn op de 45nm-node.
