NASA werkt aan een nieuw materiaal voor het maken van chips, genaamd Silicon Carbide (SiC). De nieuwe chips moeten volgens de ruimtevaartorganisatie probleemloos kunnen werken bij temperaturen tot 600 graden Celsius, terwijl een traditionele silicon-based chip er de brui aan geeft bij temperaturen van rond de 350 graden C.
De geteste SiC chip werkte meer dan 1700 uur continu bij een omgevingstemperatuur van 500 graden C - een doorbraak volgens NASA, vooral gezien het feit dat deze test 100x zo lang duurde als de vorige.
De huidige silicon-based chips beginnen steeds meer tegen hun limiet aan te lopen. Met een steeds kleiner wordend productieprocédé en een steeds verder toenemend aantal transistors in chips wordt warmteontwikkeling een steeds groter probleem. Moderne processors verbruiken al meer dan 100W per cm² en ook de complexiteit (en daarmee de warmteproductie) van videokaarten neemt steeds verder toe. Dit stelt hoge eisen aan de koeling, die gebaseerd is op het principe van een fan die lucht door een heatsink blaast.
Doordat de nieuwe Silicon Carbide chips veel hogere temperaturen verdragen, is er minder ingrijpende koeling nodig. Dit is met name interessant bij toepassingen in een warme omgeving, waarbij je kunt denken aan vliegtuigen, ruimtevaartuigen en zware industriële machines. Andere mogelijke toepassingen voor de nieuwe SiC chip zijn te vinden in het leger, de transportsector en in energieproductie.
De voordelen van SiC zijn volgens NASA compactere koeling (waardoor chips ook dichter bij elkaar kunnen worden geplaatst) en mogelijk hogere klokfrequenties. Bovendien kunnen de SiC chips overweg met een hoger voltage dan reguliere silicon-based chips.
Bron: Networkworld
