Een groep Amerikaanse studenten van de universiteit van Californië heeft een nieuw type solid-state opslagsysteem gedemonstreerd dat tot zevenmaal sneller is dan de huidige SSD's op basis van flashgeheugen. Het tot 'Moneta' gedoopte prototype maakt gebruik van phase-change geheugen (PRAM) en is onder meer in samenwerking met Micron tot stand gekomen.
PRAM is net als flashgeheugen niet-vluchtig, wat betekent dat opgeslagen data ook behouden blijft zonder elektrische spanning. Binaire data wordt gerepresenteerd door met behulp van door elektriciteit gegenereerde warmte het chemische mengsel chalcogenide vanuit amorfe toestand te laten kristalliseren. Deze overgang is sneller en eenvoudiger te bewerkstelligen dan het schakelen met transistors, wat aan de basis staat van flashgeheugen.
Het resultaat is dat Moneta duizenden malen sneller zou zijn dan conventionele harde schijven en tot zeven keer meer prestaties biedt dan huidige SSD's. Hoewel Samsung in het verleden al diverse malen het potentieel van PRAM benadrukte, zijn het eerste generatie chips van Micron (codenaam: Onyx) die in dit project toegepast zijn. Deze kunnen momenteel lees- en schrijfsnelheden van maximaal 1,1 GByte/s en 371 MByte/s bewerkstelligen. Bij kleinere datablokken, van bijvoorbeeld 512 bytes, zouden nog altijd zeer respectabele snelheden van respectievelijk 327 MByte/s en 91 MByte/s gehaald worden.
Volgens de makers van Moneta zal PRAM binnen enkele jaren volwassen genoeg zijn voor commerciële toepassingen. Voordat het zover is, moet echter ook de aansturingssoftware flink geoptimaliseerd worden, aldus het team. De afgelopen 40 jaar is deze namelijk primair geschreven voor de relatief langzame harde schijf. Om volledig gebruik te kunnen maken van de mogelijkheden van PRAM dienen diverse aspecten volledig herzien te worden.
Bron: USCD Jacobs
