Samsung heeft vandaag een fabriek geopend voor de productie van DDR3 DRAM wafers waarvan geheugenmodules gemaakt kunnen worden. De gloednieuwe Line-16 fabriek heeft een oppervlakte van 200.000 vierkante meter en een hoogte van twaalf verdiepingen. Line-16 kan tot 10.000 wafers van 12-inch per maand fabriceren. De fabriek is speciaal ontworpen voor de productie van 20 nm klasse waarvan de eerste NAND flashchips eerder dit jaar al werden getoond. Gezien de lage winstmarges momenteel op geheugenchips is het belangrijk om elke geheugenchip zo goedkoop mogelijk te maken. Dankzij de procesverkleining kunnen nu meer chips uit een wafer worden gehaald waarmee de efficiëntie toeneemt.
Naast de lagere productiekosten per chip zorgt 20 nm klasse DDR3 DRAM geheugen ten opzichte van 30 nm klasse DDR3 geheugen dat het energieverbruik ook bijna gehalveerd wordt. De 20 nm klasse DDR3 geheugenchips komt beschikbaar in een capaciteit van 2 Gbit per chip, maar de capaciteit per chip zou nog dit jaar worden verdubbeld naar 4 Gbit per chip. Hiermee kunnen 4 GB, 8 GB, 16 GB en 32 GB DDR3 modules worden gemaakt die begin volgend jaar op de markt moeten komen.
