Het Japanse Takeuchi-laboratorium heeft een prototype van de volgende generatie solid-state disks in de steigers staan. Professor Ken Takeuchi van de Chuo-universiteit heeft met zijn team de afgelopen tijd hard gewerkt aan het ontwerp. De resultaten zijn volgens hem indrukwekkend: de architectuur, die bestaat uit traditioneel NAND-flashgeheugen gecombineerd met 'ReRAM' (resistief random-access memory), zou zo'n elf keer sneller zijn dan een constructie op basis van alleen regulier multi-level cell-geheugen. Tegelijkertijd zou het energiegebruik maar liefst een factor 15 lager liggen.
Het principe achter de hybride SSD is hetzelfde als die we kennen van bijvoorbeeld de Momentus XT-reeks van Seagate. Daar dient een klein, snel stukje flashgeheugen als cache voor de grotere, langzamere opslag. Hier vormt het zogenoemde supersnelle ReRAM een heel vlotte buffer voor de grotere, tragere SSD die erachter zit. Volgens het team kan een normale MLC NAND-flashmodule een doorvoersnelheid van zo'n 4,2 MByte/s halen, terwijl de hybride architectuur, in combinatie met enkele slimme algoritmes om onder meer datafragmentatie te voorkomen, de snelheid met ruim een tienvoud op zou kunnen voeren tot 46 MByte/s. Het verbruik van de toch al vrij zuinige chips zou bovendien afnemen met een factor 15, en de levensduur zeven maal langer kunnen uitvallen.
ReRAM is inmiddels al een aantal jaren in ontwikkeling, want de eerste vernoemingen stammen alweer uit 2007. Dit geheugentype staat bekend om zijn zeer lage toegangstijden voor zowel lees- als schrijfacties, die tussen de 28 en 133 keer sneller zijn dan de snelste SLC-chips van dit moment. Ook worden voor het eerst zaken als gedeeltelijke (over)schrijving ondersteund en kan het geheugen werken met signficant lagere spanningen. Onduidelijk is nog wanneer we de eerste vruchten van de onderzoeken naar ReRAM op de consumentenmarkt mogen verwachten, al is het wel een publiek geheim dat onder meer Fujitsu en Elpida hard aan de technologie werken.
Afbeelding via Tech-On
Bron: Tech-On
