Hewlett Packard en Sandisk Corporation hebben aangekondigd dat zij een samenwerking zijn aangegaan voor het onderzoek en de ontwikkeling van hun eigen soort 'Storage Class Memory'. De bedrijven claimen dat hun geheugen tot 1000x sneller zal zijn dan conventioneel flashgeheugen.
Sandisk werkt al geruime tijd aan deze technologie en noemt het ReRam. HP heeft zijn eigen onderzoek genaamd Memristor. De doelgroep zal in eerste instantie de servermarkt betreffen. Zij hopen hierbij dat er niet-vluchtig geheugen geproduceerd kan worden dat niet alleen vele malen sneller zal zijn, maar ook vele malen duurzamer dan het huidige NAND-flashgeheugen. Daarnaast claimen zij dat het nieuwe geheugen goedkoper zal zijn in het gebruik door een lagere voltage.
De Storage Class Memory zal beschikbaar komen in producten met interfaces als enterprise SAS, SATA en PCI-Express. Het geheugen kan gaan dienen ter vervanging van DRAM en NAND-flashgeheugen, omdat niet-vluchtig geheugen de voordelen van werkgeheugen en flashgeheugen met elkaar combineert. Uiteindelijk is het de bedoeling dat er ook consumentenproducten op de markt gaan komen voor gebruik in onder meer tablets en smartphones. Het is nog niet bekend wanneer deze producten op de markt zullen komen.
Het onderzoek en de ontwikkeling van het geheugen van HP en Sandisk lijkt een reactie op het 3D XPoint-geheugen van Intel en Micron. Deze bedrijven hebben al aangekondigd dat 3D Xpoint-SSD's in 2016 op de markt zullen komen.
