Eerste details HBM 3 en GDDR6 bekendgemaakt

Mitchell Dragt 22 augustus 2016 15:38

In Cupertino is Hot Chips van start gegaan. De beurs draait geheel om de industrie voor halfgeleiders, dus ook om alles dat met geheugen te maken heeft. SK Hynix en Samsung waren ook van de partij en hebben op hun beurt details bekendgemaakt over de nieuwe generaties videogeheugen. Er is onder meer gesproken over GDDR6 en HBM 3.0. Dat terwijl GDDR5X en HBM 2.0 nog niet eens helemaal ingeburgerd zijn.

GDDR6

GDDR5X is voornamelijk het feestje van Micron. Het bedrijf heeft in maart dit jaar de eerste chips verscheept en de GTX 1080 van Nvidia is de eerste videokaart die het gebruikt. Micron is de enige producent van het snellere geheugen, want Samsung heeft GDDR6 al in zicht.

De planning van Micron.

Dat heeft een reden, want GDDR5X is nu enkel te verkrijgen met een datadoorvoer van 10 Gb/s per chip. Het doel van Micron is om rond de jaarwisseling chips met 12 Gb/s te gaan leveren en pas ergens rond 2018 op 14-16 Gb/s te komen. GDDR6 zou ook op de planning staan voor 2018, wat dus betekent dat tegen de tijd dat GDDR5X op 14-16 Gb/s zit, GDDR6 al geïntroduceerd is. En GDDR6 heeft een geplande doorvoersnelheid van 15 Gb/s. Dit maakt de snellere variant van het GDDR5X-geheugen dus overbodig als het aan Samsung ligt, want GDDR6 zal nog sneller kunnen en weer energiezuiniger worden.

Samsungs planning voor GDDR6.

HBM 3.0

Waar Micron alleen bezig lijkt te zijn met GDDR5X en GDDR6, zijn zowel Samsung als SK Hynix bezig met het verbeteren van het high bandwidth memory. HBM 2.0 is al te vinden op de Tesla P100 van Nvidia en maakt daarop gebruik van 16 GB aan Samsung-chips. Dit is een configuratie van vier 4 GB-stacks, want de 8 GB-stacks komen pas rond het einde van dit jaar, meldden zowel Samsung als SK Hynix. Hiermee wordt een totaal van 64 GB videogeheugen mogelijk, al houdt SK Hynix het op dit moment op maximaal 32 GB met vier 8 GB-stacks. Over HBM 3.0 maakte het bedrijf vrijwel niets bekend.

De mogelijkheden van SK Hynix' HBM 2.0.

Samsung maakte veel meer bekend over de derde generatie high bandwidth memory en verwacht dat het rond het jaar 2019-2020 op de markt komt, dus ongeveer rond dezelfde tijd als het nieuwe DDR5-werkgeheugen. Samsung liet op IDF de meeste details los en stelde dat HBM 3.0 een minimaal twee keer zo grote dichtheid zal hebben en het mogelijk maakt om meer dan acht lagen op elkaar te stapelen. Ook de bandbreedte zou minimaal verdubbeld worden en het stroomverbruik lager worden.

Samsungs planning voor HBM 3.0.

Het bedrijf wil ook goedkoper HBM-geheugen maken voor de consumentenmarkt, zodat het voor een breder publiek beschikbaar wordt. Dat wil men doen door onder andere het aantal through silicon via's, ofwel verbindingen tussen de verschillende lagen, te verkleinen en andere minder noodzakelijke goeden weg te laten. Hierdoor wordt de bandbreedte wat kleiner. Ongeveer 200 GB/s in plaats van 256 GB/s bij HBM 2.0, maar tegen een lagere prijs.

Door zaken weg te laten zou HBM goedkoper kunnen volgens Samsung.

Kort samengevat kunnen we in de komende jaren een breder gebruik van GDDR5X en HBM-geheugen verwachten. Nog dit jaar moet HBM 2.0 in grotere capaciteiten beschikbaar komen, zodat meer producten er gebruik van zullen gaan maken. Als het aan Samsung ligt moet rond het jaar 2018 een opvolger voor GDDR5X komen. Een tot twee jaar later zal HBM 3.0 het levenslicht gaan zien met een hogere capaciteit en snelheid.

Bronnen: ComputerBase (1), (2)