Afgelopen week onthulde Qualcomm de Snapdragon 835. Deze toekomstige high-end SoC wordt volgens het 10 nm FinFET-proces van Samsung gebakken en dit proces moet verschillende voordelen bieden. Zo zouden de chips 30% kleiner worden en 27% hogere kloksnelheden bieden of 40% minder stroom verbruiken. Ook sprak Qualcomm over de aanwezigheid van Quick Charge 4.0, maar verder werden er weinig details gegeven. Inmiddels zijn verschillende specificaties echter online verschenen.
Volgens de verschenen informatie beschikt de chip over vernieuwde Kyro 200 cores in een 4+4-ontwerp op een nog onbekende kloksnelheid. Hij voorziet in een Adreno 540 grafische processor en biedt ondersteuning voor vierkanaals LPDDR4X-1866 werkgeheugen. Ook wordt er gesproken over ondersteuning voor LTE Cat.16 en wordt er voor opslag gebruikgemaakt van UFS 2.1-flashgeheugen.
Bron: NextPowerUp
