Tijdens de Flash Memory Summit kondigde Samsung de Z-SSD-reeks aan, al was het Zuid-Koreaanse bedrijf destijds niet bepaald scheutig met informatie. Het gaat in ieder geval om PCI-Express NVMe-opslagtechnologie waarbij gebruik wordt gemaakt van Samsungs nieuwe Z-NAND flashgeheugen. In essentie gaat het hier nog altijd om NAND-geheugen, maar door een gewijzigd ontwerp moet het betere eigenschappen bieden. Hoe dit precies gebeurt is nog niet geheel duidelijk, al suggereren analisten dat het, gezien de prestatiecijfers, om 3D NAND/V-NAND in SLC-modus zou gaan. Dit is echter niet zeker.
Tijdens de Cloud Expo Europe toont Samsung dan ook daadwerkelijk een Z-SSD en worden er de nodige cijfers genoemd. Het getoonde model betreft een low-profile PCI-Express 3.0 x4-exemplaar met een opslagcapaciteit van 800 GB. Deze zou sequentiële lees- en schrijfsnelheden tot 3,2 GB/s kunnen halen en biedt volgens Samsung 750.000 en 160.000 IOPS voor respectievelijk Random read en write.
Verder claimt het bedrijf een latency die 70% lager ligt dan die van conventionele NVMe SSD’s, waarbij het vermoedelijk om de read latency gaat. Dit zou niet alleen door het nieuwe Z-NAND flashgeheugen komen maar ook te maken hebben met de nieuwe controller, waarover later dit jaar meer informatie zal verschijnen tijdens de Samsung Tech Day. Hoewel dit nog niet zeker is, ligt het voor de hand dat de levensduur van Z-NAND beter is dan van het huidige NAND-geheugen door minder bits per cell.
Eerdere berichten over de Samsung Z-SSD spraken over opslagcapaciteiten van 1, 2 en 4 TB. Op dit moment is er alleen een 800 GB model getoond, het is echter mogelijk dat dit de 1 TB variant betreft waarbij er over-provisioning wordt toegepast om de prestaties en levensduur van de SSD te verbeteren.
Bron: Anandtech
