Na de recente doorbraak met QLC 3D NAND flash zet Toshiba opnieuw een stap voorwaarts met de aankondiging van 3D NAND flash geheugen dat wordt aangedreven door de TSV technologie.
Toshiba heeft de TSV (Through Silicon Via) technologie geadopteerd teneinde de datadoorvoersnelheden een boost te geven en het energieverbruik van zijn 3D BiCS VNAND TLC flash geheugenlijn te verlagen. Het bedrijf claimt zelfs dat TSV de energie-efficiëntie van BiCS flash met 200% verhoogt en merkt daarnaast op dat TSV BiCS flash 1TB opslagapparaten met 16-die stacked architectuur in één verpakking mogelijk maakt.
Prototypes van de recente TSV apparaten zullen worden getoond tijdens Flash Memory Summit, dat gepland staat op 7 augustus in Santa Clara, Californië.
Bron: Tweaktown
