Samsung heeft als doelstelling om voor het eind van het jaar meer dan de helft van zijn geheugenproductie op 64-laags V-NAND te baseren. Het bedrijf heeft daar al een aantal producten voor uitgebracht, zoals de externe T5 SSD, de 850 SSD en de PM981 M.2 NVMe SSD voor OEM's. Vandaag voegt het daar een product aan toe, een 512 GB geheugenchip voor smartphones.
De embedded Universal Flash Storage-chip van 512 GB is een van de grootste geheugenchips op de markt. Momenteel zijn er in Nederland geen smartphones te krijgen met meer dan 512 gigabyte geheugen, maar nu Samsung de chip in productie neemt zal daar volgend jaar dus verandering in komen.
Vergeleken met het 48-laags 256 GB-chips die begin vorig jaar werden uitgebracht is er qua snelheid weinig veranderd. Er wordt gelezen met zo'n 850 MB/s en geschreven rond de 250 MB/s, terwijl de random snelheden rond de 40k IOPS liggen. Dit is echter nog steeds behoorlijk vlot voor een mobiele chip.
Wel claimt Samsung een hogere dichtheid ten opzichte van de vorige generatie, de 64-laags 512 GB-chip moet even groot zijn als de 48-laags 256 GB-chip. Intern bestaat uit nieuwe eUFS-geheugen uit acht 512 gigabit (64 GB) chips en een nieuwe controller chip op elkaar gestapeld.
Wanneer de eerste smartphones met dit 512 GB eUFS-geheugen op de markt komen is nog niet bekend, maar de kans is groot dat we op CES 2018 de eerste aankondigingen gaan zien.
| Samsung | 256GB eUFS | 512GB eUFS |
|---|---|---|
| Aankondiging | Feb 2016 | Dec 2017 |
| Capaciteit | 256 GB | 512 GB |
| Geheugen | 48-laags V-NAND | 64-laags V-NAND |
| Lezen (seq) | 850 MB/s | 860 MB/s |
| Schrijven (seq) | 260 MB/s | 255 MB/s |
| Lezen (random) | 45k IOPS | 42k IOPS |
| Schrijven (random) | 40k IOPS | 40k IOPS |
Bron: Samsung
