Samsung heeft vandaag aangekondigd zijn tweede generatie DRAM in de 10 nanometer klasse in massaproductie te nemen. Het bedrijf start met een 8 gigabit DDR4-chip, later volgen er ook andere versies. De nieuwe generatie is verder iets sneller, zuiniger en compacter dan zijn voorgangers.
Het nieuwe werkgeheugen wordt geproduceerd op een 1y-nm node, wat betekent dat het proces tussen de 10 en 19 nanometer zit. De performance van de nieuwe 8Gb DDR4-chip moet zo'n 10% hoger liggen terwijl de chip 15% efficiënter met energie om gaat. De snelheid per pin is verhoogt van 3200 Mb/s naar 3600 Mb/s.
Samsung wil de tweede generatie 1y-nm DRAM vlot opschalen, maar gaat ook de productie van de eerste generatie opvoeren. Zo wil het bedrijf voldoen aan de grote vraag die er momenteel op de geheugenmarkt is en meer marktaandeel veroveren. Nu deze generatie klaar is voor massaproductie schuiven ook de plannen voor de volgende generatie, waaronder DDR5, HBM3, LPDDR5 en GDDR6, naar voren.
Bron: Samsung
