Voor de volgende generatie productieprocessen - 7 nanometer en kleiner - is het gereedkomen van ASML's EUV-technologie een vereiste. Met deze nieuwe lichttechniek is het mogelijk om veel preciezer patronen aan te brengen in silicium wafers. Op de SPIE Advanced Lithography-conferentie, die deze week wordt gehouden in San Jose, heeft ASML een update gegeven over de staat van ontwikkeling.
De nieuwste EUV-machine die ASML uitlevert, de NXE 3400B, heeft zeer recent voor het eerst een snelheid van 140 wafers per uur behaald met een 245W-lichtbron. Een snelheid van 150 wafers per uur wordt in de industrie gezien als minimum om de techniek economisch te kunnen verantwoorden. De planning is om de vereiste lichtbron in juni gereed te hebben en naar chipproducenten als TSMC en Globalfoundries te verschepen.
ASML behaalde de genoemde snelheid zonder het gebruik van een pellicle. Met een 83% lichtdoorlatend pellicle bedraagt de capaciteit 100 wafers per uur, bij een doorzichtigheid van 90% loopt dat op naar 125 wafers. In een binnenkort verschijnend achtergrondartikel gaan we op Hardware.Info dieper in op de betekenis daarvan.
In de komende jaren zullen er minstens drie fysieke systeem-upgrades worden geleverd voor de NXE 3400B, waarmee ook een 5nm-productieproces binnen de mogelijkheden komt te liggen. Bovendien wordt er ontwikkeld aan een NXE 3400C, die in 2020 gereed zou moeten zijn en een hogere productiecapaciteit zal bieden. Tegen 2024 kunnen we zelfs een machine verwachten die geschikt is om chips in de 3nm-klasse te produceren bij 185 wafers per uur.
ASML's roadmap voor de komende jaren.
Bron: EE Times
