Samsung heeft vandaag aangekondigd dat het de massaproductie van zijn vijfde generatie V-NAND is gestart. De nieuwe geheugenchips hebben een capaciteit van 256 gigabit en zijn tot 40% sneller dan zijn voorganger, de vierde generatie V-NAND met 64-lagen.
Dankzij de 50% toename in geheugenlagen zijn de 256Gb-chips kleiner dan hun voorgangers. De maximale overdrachtssnelheid per chip is 1,4 Gb/s via de Toggle DDR 4.0-interface, 40% hoger dan de 4e generatie. Tevens opereert de chip op slechts 1,2 volt i.p.v. van 1,8 V waardoor ondanks het toegenomen aantal lagen het stroomverbruik vergelijkbaar moet blijven.
Daarnaast heeft Samsung de latencies verlaagd. Een schrijfactie kan nu zo'n 30% sneller plaats vinden, in het beste geval rond de 500 microseconde. De reactietijd voor leesacties is verder verlaagd naar 50 μs.
Naast de 256Gb-die werkt Samsung ook aan een grotere die van 1 terabit. Ook wil het bedrijf QLC-chips aan zijn aanbod toevoegen, die vier bits per geheugencel bevatten.
Bron: Samsung
