Samsung heeft vandaag aangekondigd dat het 7nm Low Power Plus (LPP) productieproces volledig klaar is, en is gestart met het produceren van 7LPP wafers in een fabriek in Hwaseong, Korea. Niet alleen de stap naar 7nm is opmerkelijk, want Samsung gebruikt voor het proces extreme ultraviolet (EUV) lithografietechnologie, wat volgens het bedrijf een hoop voordelen moet opleveren.
In tegenstelling tot het conventioneel productieproces met argon fluoride (ArF), moet EUV vooral tijd en kosten besparen doordat het aantal mask sets verlaagd kan worden. EUV gebruikt hiervoor een golflengte van 13,5nm, terwijl de ArF-techniek enkel licht met een golflengte van 193nm kan gebruiken. Het bedrijf claimt dat de EUV-techniek slechts één mask nodig voor het maken van een waferlaag, vergeleken met vier masks voor een gelijkaardige waferlaag bij ArF. Concurrent Intel zou volgens geruchten pas in 2021 beginnen met EUV lithografie.
Verder moet de overgang van 10nm naar 7nm natuurlijk ook voor verbeteringen zorgen. Vergeleken met 10nm FinFET productieproces moeten de nieuwe chips op het 7LPP EUV proces zo'n 20% betere performance bieden, of een halvering van de stroomconsumptie bij dezelfde performance.
Met de introductie van deze nieuwe procesnode mikt Samsung op het produceren van mobiele chips, maar zet het ook in op machine learning, enterprise en datacenter doeleinden, IoT en artificiële intelligentie.
Samsung's S3 fabriek in Hwaseong, Zuid-Korea.
