In een persbericht vermeldt Samsung dat het bedrijf de massaproductie is gestart van 1 TB opslagchips voor smartphones en andere mobiele toestellen. De opslagchips maken gebruik van Samsung's vijfde generatie v-nand en moeten sequentiële leessnelheden tot 1000 MB/s, schrijven kan met een maximumsnelheid van 260 MB/s. Vergeleken met de vorige chip gaat de leessnelheid er zo'n 140 MB/s op vooruit.
Ook de random snelheden zijn een stuk verbeterd met 58,000 en 50,000 iops voor respectievelijk random lezen en random schrijven. Ter vergelijking: de huidige 512 GB chips uit 2017 behalen iops-waardes van respectievelijk 42,000 en 40,000.
De 1 TB eUFS (embedded Universal Flash Storage) chips zijn even groot als de vorige-generatie 512 GB chips en maken gebruik van 16 lagen. Er wordt verwacht dat Samsung deze grote opslagchip gaat gebruiken in een dure variant van de aankomende Samsung Galaxy S10, maar de chips zullen ook beschikbaar zijn voor andere oem's. Samsung legt nadrukkelijk de focus op de hogere snelheden ten opzichte van micro-sd-kaartjes en ook de opslaggrootte is natuurlijk een unique selling point, het is namelijk de eerste 1 TB eUFS-opslagchip op de markt. Het bedrijf verwacht dan ook een sterke vraag en zet volledig in op de massaproductie. De chips worden in Samsung's fabriek in Pyeongtaek, Zuid-Korea, geproduceerd en moeten dit jaar in consumentenproducten verschijnen.
Bron: Samsung
