De universiteit van Lancaster heeft een 'nieuw' type geheugen ontwikkeld dat naar eigen zeggen zowel dram als nand-flashgeheugen kan vervangen dankzij non-volatiele eigenschappen.
Volgens de onderzoekers zou het geheugen een vijfde minder stroom verbruiken, waarbij men datacentra moet kunnen maken die een vijfde minder stroom verbruiken. Het geheugen is operationeel op maximaal 2,6 volt. Het schakelen, dus het wisselen tussen een 0 en een 1 in een cel, moet zo'n 100 keer efficiënter zijn dan dram, en zelfs 1000 keer efficiënter dan flashgeheugen. Dat geldt voor cellen op basis van een 20 nanometer-procedé.
Het geheugentype heeft een floating gate-structuur, bestaande uit componenten met indiumarseenverbindingen (InAs) als control gate en floating gate, en aluminium-antimoon (AlSb) als barriëre. De cellen zijn gemaakt op een substraat van galliumantimoon (GaSb).
Het geheugen moet computers mogelijk maken die niet hoeven op te starten, en zelfs tussen toetsaanslagen door zou een apparaat met dit geheugen in een energiebesparende slaapstand gaan. Ook zouden eigenschappen van kwantummechanica zijn gebruikt om het dilemma van stabiele data-opslag voor de lange termijn en het zuinig schrijven en wissen van data op te lossen. Het is nog niet bekend wat de datadichtheid is ten opzichte van dram- en flashgeheugen, en ook (theoretische) lees- en schrijfsnelheden zijn nog niet bekend.
Een dergelijk soort geheugen is al jaren een heilige graal binnen de opslagwereld, menig onderzoekscentrum heeft al getracht om vergelijkbaar geheugen te creëren. Soms lukt dat met enige succes, zoals Intel en Samsung vorig jaar bewezen.
Bronnen: Lancaster University, Science Daily, Nature
