Samsung heeft bekendgemaakt dat het de eerste dram-chips die gemaakt zijn met zijn 10nm-node met extreme ultraviolet kan verschepen. In totaal gaat het om een miljoen dram-modules.
Om precies te zijn gaat het om dram-chips op de eerste generatie van zijn 10nm-euv-node, dram-chips met dit procedé duidt het bedrijf ook wel aan met 'D1x'. De chips worden gemaakt op wafers van 12-inch in Samsungs nieuwe S3-fabriek in Hwaseong, Zuid-Korea. Bovendien is de chipmaker de eerste fabrikant die met dram komt dat gebruikmaakt van een euv-node.
Euv zal ook worden ingezet in de andere nieuwe productieprocessen, te beginnen met de vierde generatie van de 10nm-node, die Samsung ook wel als 1a-nm aanduidt. Ddr5 en lpddr5-chips op deze 1a-node zullen volgend jaar in massaproductie treden. De technologiegigant is van plan om in de tweede helft van dit jaar een nieuwe halfgeleiderfabriek operationeel te maken in Pyeongtaek, zodat het beter de groeiende vraag naar high-end dram-chips aankan.
Bron: Samsung
