Volgens het Koreaanse ET News boekt Samsung significante vooruitgang met 3D-nand met 160 lagen of meer. Dit aantal lagen hebben andere fabrikanten nog niet weten te bereiken, die blijven tot nu toe steken op 128-laags geheugen.
De nieuwe chips met het nandgeheugen van de zevende generatie moeten volgens de Koreaanse technologiekrant gebruikmaken van een 'double stacking'-technologie. Dit moet inhouden in dat twee bundels nand-chips op elkaar worden geplakt, en dat de gaatjes die in de die's worden gemaakt voor de through-silicon-via's in twee keer worden gemaakt. Momenteel zou Samsung een single stack-techniek gebruiken, in combinatie met een enkele stapel nand-lagen.
Op dit moment lijkt Samsung de eerste te zijn die nand met minimaal 160 lagen binnen bereik heeft. Andere fabrikanten hebben wel nand met 128 lagen; SK Hynix toonde dit geheugen op de CES en Micron onthulde afgelopen maart dat zijn variant tussen juli en september zal verschijnen. Intel komt dit jaar met 144-laags geheugen. Plannen voor verder in de toekomst zijn er ook al, SK Hynix wil namelijk tegen 2030 met chips met rond de 800 lagen komen. Wanneer Samsung met 160-laags geheugen komt, weten we nog niet.
De printplaat in de 860 QVO, die we eind 2018 een review gaven.
Bron: ET News
