Intels chief technology officer Mike Mayberry heeft op de VLSI Technology and Circuits Symposium een presentatie genaamd 'the future of compute' gehouden over transistoren met 'nanowires' en 'nanoribbons'. Deze nieuwe soort transistoren moeten finfet-transistoren vervangen en Intel wil het over vijf jaar gaan gebruiken in zijn productieprocessen.
Nanowires staan ook wel bekend als gaafet-transistoren, en nanosheets (voor Intel nanoribbons) kennen we als Samsungs multi-bridge channel fet-transistors. Momenteel zitten we op finfet, dat zo'n beetje aan het eind van zijn levensduur qua nieuwe ontwikkelingen zit. De nieuwe vorm heeft vinnnen die, in tegenstelling tot bij finfet, uit meerdere lagen bestaat. Transistors met vinnen werden door Intel vanaf 22 nanometer onthuld. Zo kon het oppervlak dat de vinnen in beslag namen zoveel mogelijk worden verminderd, om zo kleinere transistoren te maken of een lager stroomverbruik te realiseren. Nanosheets en nanowires moeten hier op voortborduren.
Samsung heeft een jaar geleden soortgelijke plannen voor gate-all-around-transistors onthuld. Toen werd duidelijk dat nanowires het meest geschikt zijn voor het maken van chips met een zo hoog mogelijke transistordichtheid, terwijl nanosheets geoptimaliseerd zijn om een zo hoog mogelijke drive current te hebben. Door aparte transistortechnieken te gebruiken kan er beter worden geoptimaliseerd voor betere prestaties per vierkante millimeter of betere prestaties per watt van de chip.
Intels cto kon nog maar weinig details over de technologieën geven, maar wel verklaart hij dat de transistors binnen de komende vijf jaar in procestechnologie gebruikt moeten gaan worden. Daarnaast laat de presentatieslide die nu beschikbaar is zien dat een enkel laagje in een nanoribbon afmetingen moet hebben van 12 bij 7 nanometer. Een finfet-node, vermoedelijk 10 nm of 14 nm, zou daarentegen 6 nm bij 50 nm meten.
Bron: Anandtech
