Begin deze maand maakte IBM bekend dat het een chip met de hoogst haalbare transistordichtheid tot nu toe heeft weten te maken, aan de hand van zijn eigen 2nm-node. TSMC blijkt IBM te hebben overtroffen door de ontwikkeling van 1nm-chips te versnellen.
De doorbraak is het gebruik van bismut als materiaal voor contactelektroden in chips. Het is oorspronkelijk ontdekt door het MIT, TSMC heeft het samen met de University of Taiwan het proces verfijnd. De onderzoekers schrijven in Nature over hun mijlpaal. Bismut kan de weerstand van de elektroden flink verminderen tot 123 ohm per micrometer en de stroomsterkte vergroten tot 1,135 ampère per micrometer. Dat moeten de beste waarden die men tot nu toe heeft waargenomen zijn.
Kristalvormig bismut.
De gemeten contactweerstanden zijn bovendien een grote verbetering ten opzichte van bestaande technieken en bereiken de quantumlimiet. Het moet tweedimensionale transistoren laten concurreren met driedimensionale technieken. TSMC zegt het deposition-proces te hebben verbeterd, dit proces is verantwoordelijk voor het aanbrengen van de verschillende lagen op de wafer.
