Intel heeft de nieuwe namen voor zijn nodes onthuld. De 10 nm Enhanced SuperFin wordt omgedoopt tot Intel 7 en zal 10 tot 15 procent beter presteren dan de oudere 10 nm SuperFin. Intels oude 7 nm node zal de naam Intel 4 krijgen en gebruik maken van euv lithografie. De eerste chips die volgens dit proces zullen worden ontwikkeld zullen de Meteor Lake-processoren zijn. Deze zullen 20 procent beter presteren dan de Intel 7 node.
In de tweede helft van 2023 komt Intel met de Intel 3 node. Deze node zal 18 procent beter presteren en nog meer transistoren bevatten dan zijn voorgangers. Intel belooft het euv-gebruik bij deze node op te schroeven.
De volgende stap op Intels nieuwe roadmap is de Intel 20A. De A staat voor Angstrom, een metrische eenheid die 0,1 keer zo groot is als een nanometer. Deze node zal een nieuwe transistorenarchitectuur introduceren die bekend staat als RibbonFET en PowerVia interconnect-innovatie. Intel heeft niet gezegd welk product gebruik gaat maken van deze node alleen dat deze vanaf de eerste helft van 2024 beschikbaar zal zijn.
Intel introduceert ook Foveros Omni, dat een flexibel ontwerp met maximale prestaties mogelijk maakt. Ook Foveros Direct is aangekondigd, een directe koper-op-koperverbinding die interconnecties met lage weerstand mogelijk maakt. Bij dit type Foveros zal de bumpdichtheid toenemen tot 10K/mm2. Het zal ook functional block lever partitioning bevatten. De Omni-packaging zal minder last hebben van tsv-penalties en zal energie- en I/O-optimalisaties bevatten. Het moet interconnecties met hoge bandbreedte bieden. Het bedrijf heeft niet losgelaten welke producten gebruik zullen gaan maken van deze nieuwe packaging technologieën.
Bron: Videocardz
