Samsung werkt voor zijn 3nm-nodes en kleiner aan gate all around-transistoren (gaafet), waarbij de vinnen volledig worden omringd door de gate. Dit maakt kleinere transistoren mogelijk zonder last te krijgen van lekstroom en quantum tunneling, maar het maakt ook de productie moeilijker. Bij Samsung loopt de vooruitgang nog niet helemaal volgens gepland, aldus Digitimes.
De marktanalist schrijft op basis van zijn eigen bronnen dat de productieafdeling van Samsung nog steeds niet in staat is om de techniek op grote schaal aan de praat te krijgen op 3 nanometer. Lekstroom is hier volgens Digitimes een belangrijke reden voor, dat met gaafet-transistoren juist verminderd moet worden.
Oorspronkelijk stond productie op deze node voor 2022 op de planning, maar het is mogelijk dat dit niet meer zal lukken, als dit nieuws klopt. TSMC's 3nm-node met een reguliere finfet-techniek moet concurrerender zijn wat prijs en prestaties betreft. Dit proces moet al in 2022 voor massaproductie gebruikt kunnen worden, en volgens bronnen uit de industrie zou de eerste grootschalige productie zelfs zijn vervroegd naar mei van volgend jaar.
Bron: Digitimesq
