SanDisk werkt aan 16 Gbit flashgeheugen

SanDisk verwacht deze maand nieuwe 56 nm "multi-level cell" (MLC) flashgeheugen chips te lanceren in samenwerking met Toshiba. SanDisk heeft bovendien als doel gesteld om in het komende voorjaar 16 Gigabit MLC NAND flashgeheugen te leveren, dit alles zal geplaatst worden op een monolistische chip.

Na de gebruikelijke testfase is SanDisk van plan om deze maand 8 Gigabit MLC NAND flashgeheugen te introduceren op een enkele chip, gefabriceerd via het 56 nm productie procédé. De eerste 56 nm geheugenchips zullen een capaciteit hebben van 1 GB en worden waarschijnlijk in het eerste kwartaal van 2007 verscheept.
Volgens SanDisk heeft de fabricage volgens het 56 nm procédé tot gevolg dat het flashgeheugen maar liefst twee maal hogere schrijfprestaties behaalt ten opzichte van de 70 nm chips.

Naast de nieuwe 56 nm 8 Gigabit geheugenchips, heeft SanDisk aangegeven in het tweede kwartaal 16 Gigabit chips te willen lanceren. Deze chips zullen ook op het 56 nm formaat worden gefabriceerd en zullen daarnaast bestaan uit een enkele chip met een capaciteit van 2 GB. Deze chips zullen de grootste dichtheid hebben van al het beschikbare MLC NAND flashgeheugen op een enkele chip.

Bron: SanDisk