Tijdens een presentatie onthulde Samsung dat het van plan is PAM3-signaalmodulatie te gebruiken voor zijn gddr7-geheugenchips. Door het gebruik van PAM3 zou de effectieve bandbreedte verhoogd moeten worden naar 36 Gbps.
Conventioneel gddr6-geheugen gebruikt NRZ (non-return to zero) of PAM2-signaalmodulatie om datasnelheden te bereiken vanaf 14 Gbps, waarbij 24 Gbps naar verwachting de snelste gddr6-geheugensnelheid is die kan worden aangeboden. Sommige van de snellere gddr6-snelheden zoals 18 Gbps, 20 Gbps en 22 Gbps, konden niet snel genoeg in productie worden genomen voor de ontwikkelingsfase van de GeForce RTX 30-serie. Nvidia en Micron ontwikkelden daarom gddr6x die gebruik maakt van PAM4-signaalmodulatie, om snelheden te bieden variërend van 18 Gbps tot 23 Gbps (of hoger).
NRZ-signalering biedt een transmissiesnelheid van 1 bit per cyclus, terwijl PAM4 2 bits per cyclus doet. PAM3 verhoogt dit tot 3 bits per cyclus door gebruik te maken van een meer geavanceerde golfvorm. Volgens Samsung is PAM3 25 procent efficiënter dan NRZ, maar ook 25 procent energiezuiniger. PAM3 wordt ook gebruikt door de 80 Gbps Thunderbolt 4-standaard en het aankomende usb 4.0.
Dankzij de toegenomen snelheid naar 36 Gbps kan er een maximale gddr7-geheugenbandbreedte van 1,7 TB/s behaalt worden, met een geheugenbus van 384-bit.
Bron: Samsung
