Samsung gaat ddr5-geheugen produceren op basis van zijn nieuwe 12 nm-proces. Het geheugen zou tot 23 procent minder stroom verbruiken dan het huidige 14 nm-dram, en met het nieuwe proces kan meer geheugen uit één wafer gehaald worden.
Zo’n 20 procent meer zelfs, ten opzichte van het 14 nm-proces. Dat proces werd iets meer dan een jaar geleden aangekondigd trouwens, en leverde toen ook al een 20 procent hogere productiviteit (en 20 procent lager stroomverbruik) op dan zijn voorganger.
Het nieuwe 12 nm-geheugen.
Qua snelheid verandert er niks: het 12 nm-geheugen haalt gewoon weer 7,2 Gbit/s. Samsung kondigde eind vorig jaar ook lpddr5x-geheugen aan (14 nm), dat tot 8,5 Gbit/s gaat. Of daar ook een 12 nm-variant van in de maak is, is nog onbekend.
Samsung zegt het geheugen al te hebben getest op compatibiliteit met AMD. Begin volgend jaar moet de massaproductie van start gaan.
Bronnen: Samsung (1), (2)
