Een team onderzoekers van de Washington University in St. Louis heeft een nieuwe manier gevonden om 2D-transistors te bouwen, die slechts één atoom dik zijn. Dit maakt het in theorie mogelijk om enorme aantallen van deze transistors op een chip te plaatsen, wat resulteert in meer rekenkracht in een kleiner volume en met een lager energieverbruik. Sang-Hoon Bae's paper "Non-epitaxial single-crystal 2D material growth by geometric confinement" waarin het proces beschreven wordt is gepubliceerd in Nature.
De methode wordt verder niet in detail uitgelegd, maar maakt gebruik van een rooster, en in de uitsparingen daarvan wordt een twee-dimensionaal kristal opgebouwd. Eerdere technieken hadden last van oneffenheden, maar dat lijkt hier geen probleem te zijn. Waar klassieke wafers nog gepolijst kunnen worden om een zo glad mogelijk oppervlak te verkrijgen kan bij dit proces het eindresultaat niet meer opgepoetst worden. Ondanks de uitdagingen wordt verwacht dat deze technologie in de toekomst breed toegepast kan worden.
Bron: TechSpot
