Het Amerikaanse NEO Semiconductor heeft een technologie ontwikkeld om het in drie dimensies vervaardigen van dram-geheugencellen goedkoper en vooral eenvoudiger te maken. Hiermee kan de dichtheid van cellen in geheugenchips op zeer korte termijn drastisch verhoogd worden.
Er wordt in de basis gebruik gemaakt van dezelfde processen als bij 3d-nandgeheugen en bovendien is aanpassing van apparatuur amper nodig. Gesproken wordt bijvoorbeeld over slechts één nieuw, extra masker voor tijdens het etsproces.
Het bedrijf noemt hun uitvinding 3D X-DRAM en stelt dat het huidige manieren van dram-productie binnenkort al kan vervangen. Nu al kan een dichtheid van 128 Gbit per geheugencel behaald worden over 230 lagen, wat acht keer hoger is dan bij normale, tweedimensionale dram-cellen. Dit kan in de komende tien tot twaalf jaar nog verder verachtvoudigd worden tot 1 Tbit.
Er zijn veel ontwikkelingen gaande in de zoektocht naar nieuwe technologieën voor het maken van dram-chips met grotere capaciteiten omdat de vraag naar computergeheugen snel stijgt. Het meer naar de voorgrond tredende AI in de vorm van software die we steeds regelmatiger voorbij zien komen is daar een goed voorbeeld van.
Bronnen: Techspot, Neo Semiconductor
